[发明专利]用于等离子体蚀刻工件的方法及装置有效
| 申请号： | 201710363139.6 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107452611B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·洛奈;马克西姆·瓦瓦拉 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了一种在硅基板中等离子体蚀刻一个或多个特征的方法，所述方法包括以下步骤：使用循环蚀刻工艺进行主蚀刻，在该循环蚀刻工艺中沉积步骤和蚀刻步骤交替重复；以及进行过蚀刻以完成所述特征的等离子体蚀刻；其中：该过蚀刻包括一个或多个第一类蚀刻步骤和一个或多个第二类蚀刻步骤，所述第一和第二类蚀刻步骤中的每个步骤都包括通过离子轰击所述硅基板来进行蚀刻；以及所述一个或多个第二类蚀刻步骤期间的离子轰击相对于所述一个或多个第一类蚀刻步骤期间的离子轰击具有向内的倾斜。本发明还提供了一种用上述方法蚀刻硅基板的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 蚀刻 工件 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种在硅基板中等离子体蚀刻一个或多个特征的方法，所述方法包括以下步骤：使用循环蚀刻工艺进行主蚀刻，在所述循环蚀刻工艺中沉积步骤和蚀刻步骤交替重复；以及进行过蚀刻以完成所述特征的等离子体蚀刻；其中：所述过蚀刻包括一个或多个第一类蚀刻步骤和一个或多个第二类蚀刻步骤，所述第一和第二类蚀刻步骤中的每个步骤都包括通过离子轰击所述硅基板来进行蚀刻；以及所述一个或多个第二类蚀刻步骤期间的离子轰击相对于所述一个或多个第一类蚀刻步骤期间的离子轰击具有向内的倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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