[发明专利]制备银纳米线透明电极的选择性去除不均匀短线的方法有效
申请号: | 201710363194.5 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107199114B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 林铁松;何鹏;黄钊 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | B03B5/44 | 分类号: | B03B5/44;B22F1/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 张金珠 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于制备银纳米线透明电极的选择性去除不均匀短线的方法,属于柔性透明电极的技术领域。本发明方法:将银纳米线分散液滴涂在基底上,常温下静置至银纳米线分散液在基底上的润湿面积尚未收缩,使用溶剂清洗基底;然后常温下自然干燥,即完成选择性去除部分很短的银纳米线的操作。本发明利用银纳米线分散液中短线和长线向基底沉积的速率不同而选择性地分离短线,大幅度地降低了对导电性几乎无贡献的0‑10μm短线的比例,可以提高银纳米线透明电极的光电性能。此外,本发明具有操作简单,无需复杂设备,耗时短,试剂消耗少,成本低的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 纳米 透明 电极 选择性 去除 不均匀 短线 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备银纳米线透明电极的选择性去除不均匀短线的方法,其特征在于该方法是由下述步骤完成的:将银纳米线分散液滴涂在基底上,常温下静置至银纳米线分散液在基底上的润湿面积尚未收缩,使用溶剂清洗基底;然后常温下自然干燥,即完成选择性去除部分很短的银纳米线的操作。
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