[发明专利]一种富硒金针菇种植方法在审

专利信息
申请号: 201710363331.5 申请日: 2017-05-20
公开(公告)号: CN107056387A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 陈肇祯 申请(专利权)人: 天津市宝坻区和泰丰食用菌有限公司
主分类号: C05G1/00 分类号: C05G1/00;A01G1/04
代理公司: 北京维正专利代理有限公司11508 代理人: 曹晓斐
地址: 301827 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种富硒金针菇种植方法,包括以下步骤S1选料米糠、玉米芯、玉米粉、豆粕、甜菜渣、棉籽壳、富硒大豆秸秆根茎、富硒添加剂、银杏叶、碳酸钙;S2培养基配置步骤一对富硒大豆秸秆截断,将富硒大豆秸秆的根部进行集中并进行初步粉碎;步骤二将米糠、玉米芯、玉米粉、豆粕、甜菜渣、棉籽壳、富硒大豆秸秆根茎,首先进行干混;步骤三添加自来水后继续添加银杏叶、富硒添加剂、碳酸钙、进行湿混;步骤四进行水含量检测;步骤五进行闷堆;步骤六进行机械装瓶;步骤七采用高压灭菌;S3接种;S4养菌;S5搔菌;S6金针菇栽培步骤一培养预备期;步骤二培养初生期;步骤三抑制期,室内温度4℃;步骤四快速生长期。
搜索关键词: 一种 金针菇 种植 方法
【主权项】:
一种富硒金针菇种植方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:培养基的选料按重量份数计,包括有米糠30‑34份、玉米芯28‑30份、玉米粉4‑6份、豆粕4‑6份、甜菜渣2‑4份、棉籽壳2‑4份、富硒大豆秸秆根茎13‑16.25份、富硒添加剂1‑1.125份、银杏叶2‑2.25份、碳酸钙1份;S2:培养基的配置步骤一:对富硒大豆秸秆进行截断处理,将富硒大豆秸秆的根部进行集中并进行初步粉碎;步骤二:将米糠、玉米芯、玉米粉、豆粕、甜菜渣、棉籽壳、富硒大豆秸秆根茎,首先进行干混;步骤三:添加自来水后继续添加银杏叶、富硒添加剂、碳酸钙、进行湿混,料水比为1∶1.4‑1.6;步骤四:进行水含量检测,含水量应为60% ~ 65% ;步骤五:进行闷堆1 ~ 2h,让培养料充分吸水;步骤六:进行机械装瓶,每瓶大约装湿料250g‑300g,在瓶中打孔若干;步骤七:装好袋后采用高压灭菌,高压灭菌温度在123‑126℃ ,灭菌时间为1h;S3:接种菌种 在已经高温灭菌的培养瓶中接种金针菇菌种,然后加盖瓶盖,接种温度设置为17‑19℃;S4:养菌 养菌期通常为25‑30天,养菌期室内湿度控制在75‑80%,室内温度为14.5‑15℃,添加第二富硒添加剂;S5:搔菌 将金针菇培养瓶中的上层老化菌丝进行清理;S6:金针菇栽培步骤一 培养预备期(1‑3天),室内温度15‑17℃,室内湿度100%;步骤二 培养初生期(4‑10天),室内温度逐步从15‑17℃降至5‑7℃;步骤三 抑制期(11‑19天),室内温度4℃,对瓶内的金针菇进行包菇;步骤四 快速生长期(19‑30天)室内温度从4℃升至7℃,添加第三富硒添加剂。
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