[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710363354.6 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108963070B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;刘明;胡媛;赵盛杰;路程;张培文;张凯平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应台体的顶面的区域为镂空区域；在绝缘层背离衬底一侧形成阻变层，阻变层与下电极薄膜对应台体的顶面的区域接触；在阻变层背离衬底一侧形成多个上电极，上电极与台体一一对应。上电极的尺寸将由台体的顶面的直径所决定，而通过优化台体的顶面的直径尺寸，可以将上电极的尺寸控制在纳米级范围内，进而使得该阻变存储器具有更小的电极尺寸，以降低阻变存储器电阻转换参数的离散型，从而改善阻变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底的生长面包括多个台体；在所述衬底的生长面上形成下电极薄膜，所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域高于所述多个台体之间的凹槽区域；在所述下电极薄膜背离所述衬底一侧形成绝缘层，所述绝缘层对应所述台体的顶面的区域为镂空区域；在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成阻变层，所述阻变层与所述下电极薄膜对应所述台体的顶面的区域接触；在所述阻变层背离所述衬底一侧形成多个上电极，所述上电极与所述台体一一对应。
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