[发明专利]一种电子封装用Sn-Bi系复合钎料及其制备方法

摘要

一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法，它涉及一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法。本发明是要解决Sn‑58Bi钎料中硬脆性质的富Bi相所导致的合金延展性能降低，以及重熔服役和时效过程中，过厚的金属间化合物导致钎焊接头可靠性能变差的问题。方法：一、制备石墨烯/氧化铈复合增强体；二、增强体与钎料基体球磨混合；三、向增强体与钎料中加入助焊膏搅拌均匀；四、将上述混合物置于坩埚中于180℃下加热，取出倒入磨具冷却得到复合钎料块。本发明的复合钎料细化了焊点微观组织，大大提高了钎料的硬度，降低了钎料与基体界面的金属间化合物厚度，从而提高焊点的剪切强度。本发明用于制备Sn‑Bi系复合钎料。

主权项

1.一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料，其特征在于电子封装用Sn‑Bi系复合钎料由增强体和Sn‑58Bi钎料组成；所述电子封装用Sn‑Bi系复合钎料中增强体的质量分数为0.005％～0.5％；所述增强体为石墨烯负载纳米级氧化铈或石墨烯负载微米级氧化铈，且所述增强体中石墨烯的质量分数为30％～90％；所述石墨烯负载纳米级氧化铈中石墨烯的粒径为2～10μm、厚度为20～50nm，纳米级氧化铈的粒径为10～20nm；所述石墨烯负载微米级氧化铈中石墨烯的粒径为2～10μm、厚度为20～50nm，微米级氧化铈的粒径为2～5μm。