[发明专利]一种具有高增益特性的推挽放大器

摘要

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级。同时，加入RZ和CC分离主极点和输出极点，通过将输出极点推向高频来实现高带宽。第一级通过折叠式Cascode提供高输出阻抗以形成主极点。本发明的有益效果是：本发明的放大器实现了高增益，高带宽，高SR，解决了传统功率放大电路无法兼顾电流增益和电压增益的问题。

主权项

1.一种具有高增益特性的推挽放大器；其特征在于，包括第一PMOS管M2、第二PMOS管M3、第三PMOS管M4、第四PMOS管M5、第五PMOS管M6、第一NMOS管M1、第二NMOS管M7、第三NMOS管M8、第四NMOS管M9、第五NMOS管M10、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、电容和电阻；其中，第一三极管Q1的基极为放大器的反相输入端，第一三极管Q1的集电极接第一PMOS管M2的漏极，第一三极管Q1的发射极接第一NMOS管M1的漏极；第二三极管Q2的基极为放大器的同相输入端，集电极接第二PMOS管M3的漏极，第二三极管Q2的发射极接第一NMOS管M1的漏极；第一NMOS管M1的栅极接Vbias1，第一NMOS管M1的源极接地；第一PMOS管M2的源极接电源，其栅极接Vbias2；第四PMOS管M5的源极接第一PMOS管M2的漏极，第四PMOS管M5的栅极接Vb3；第二NMOS管M7的漏极接第四PMOS管M5的源极，第二NMOS管M7的栅极与漏极互连，第二NMOS管M7的源极接地；第三PMOS管M4的源极接电源，其栅极接Vbias2；第五PMOS管M6的源极接第二PMOS管M3的漏极，第五PMOS管M6的栅极接Vb3；第三NMOS管M8的漏极接第五PMOS管M6的漏极，第三NMOS管M8的栅极接第四PMOS管M5的漏极，第三NMOS管M8的源极接地；第四NMOS管M9的漏极接第三PMOS管M4的漏极，第四NMOS管M9的栅极接第五PMOS管M6的漏极，第四NMOS管M9的源极接地；第三三极管Q3的集电极接电源，其基极接第三PMOS管M4的漏极，第三三极管Q3的发射极接第五NMOS管M10的漏极；第五NMOS管M10的栅极接第五PMOS管M6的漏极，第五NMOS管M10的源极接地；第五PMOS管M6漏极与第三NMOS管M8漏极的连接点依次通过电容和电阻后接第三三极管Q3发射极与第五NMOS管M10漏极的连接点；第三三极管Q3发射极、第五NMOS管M10漏极和电阻的共同连接点为放大器的输出端。