[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构有效
| 申请号： | 201710363969.9 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108962764B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法、一种半导体芯片、一种封装方法及一种封装结构，通过在第二钝化层中形成第三开口，以提高所述第二钝化层的粗糙度。因此在填充所述半导体芯片与布线基板之间的空隙时，增强了填充介质与所述半导体芯片的粘合度，从而使形成的封装结构更加稳定，性能更加优良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 芯片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有连接层；在所述基底上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有露出所述连接层的第一开口；形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述第一开口且覆盖所述第一钝化层；在所述第二钝化层中形成第二开口和第三开口；所述第二开口位于第一开口内且露出所述连接层，所述第三开口位于第一开口外；在所述第二开口中形成导电凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
