[发明专利]一种基于复合波导的横向电场通过的偏振器

摘要

本发明公开了一种基于复合波导的横向电场通过的偏振器。包括入射硅波导和出射硅波导以及在入射硅波导和出射硅波导之间的中间耦合部分，中间耦合部分是置于SOI衬底上的五层波导结构，五层波导结构从下至上依次是下硅层、下二氧化硅层、上硅层、上二氧化硅层和金属铬层；从入射硅波导传输过来的TM模经过所述中间耦合部分时从下二氧化硅层耦合到上二氧化硅层并被金属铬层吸收衰减，从入射硅波导传输过来的TE模经过所述中间耦合部分时沿下二氧化硅层传输不会耦合到上二氧化硅层，具有尺寸小、消光比高、插入损耗低的优势，能够减小耦合损耗，易于光学集成。

主权项

一种基于复合波导的横向电场通过的偏振器，包括入射硅波导和出射硅波导以及在入射硅波导和出射硅波导之间的中间耦合部分，其特征在于：所述中间耦合部分是置于SOI衬底(1)上的五层波导结构，五层波导结构从下至上依次是下硅层(2)、下二氧化硅层(3)、上硅层(4)、上二氧化硅层(5)和金属铬层(6)。