[发明专利]一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法在审
| 申请号： | 201710364278.0 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107177889A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡奋琴;苏晓东 | 申请（专利权）人： | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙)33273 | 代理人： | 袁丽花 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市秀洲*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法，所述制备方法依次包括以下步骤S1、通过化学腐蚀方法在单晶硅片表面引入微纳缺陷；S2、通过化学方法对具有微纳缺陷的单晶硅片表面进行修正并去除表面各种残留物杂质；S3、采用碱刻蚀制绒工艺在单晶硅片表面形成金字塔结构，得到单晶硅太阳能电池表面绒面结构。本发明在碱刻蚀制绒步骤前先通过化学方法形成微纳尺寸的缺陷起绒点，再进行常规碱制绒能够快速获得理想的金字塔绒面并去除表面切割线痕，且制备的金字塔绒面具有优异的陷光性能；实际工艺中大大降低了碱刻蚀制绒时间，提高了单晶硅太阳能电池的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 太阳能电池 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法，其特征在于，所述制备方法依次包括以下步骤：S1、通过化学腐蚀方法在单晶硅片表面引入微纳缺陷；S2、通过化学方法对具有微纳缺陷的单晶硅片表面进行修正并去除表面各种残留物杂质；S3、采用碱刻蚀制绒工艺在单晶硅片表面形成金字塔结构，得到单晶硅太阳能电池表面绒面结构。
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