[发明专利]一种实现单根GaTe/ZnO异质结纳米线电泵浦发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201710365252.8 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107195749B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈祖信;楚盛 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现单根GaTe/ZnO异质结纳米线电泵浦发光二极管的方法，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备n型ZnO纳米线；b)在长有ZnO纳米线的衬底上物理掩膜，遮挡部分衬底后再合成p型GaTe材料，获得一部分被GaTe包裹而一部分是裸露的ZnO的异质结纳米线；c)使用电子束沉积系统在选定的GaTe/ZnO异质结纳米线上沉积Au和Ni/Au，再通过引线获得电泵浦系统；d)通过扫描电子显微镜、拉曼光谱等表征手段分析所合成复合结构，然后在电泵浦下测试单根GaTe/ZnO异质结纳米线发光二极管的光电性质。本发明高效合成可控，制得的GaTe/ZnO异质结纳米线有很高的结晶质量，不仅对新型二维材料GaTe的合成有更进一步的研究，而且第一次实现单根GaTe/ZnO异质结纳米线电泵浦发光二极管集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 gate zno 异质结 纳米 线电泵浦 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现单根GaTe/ZnO异质结纳米线电泵浦发光二极管的方法，其特征在于，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备ZnO纳米线，作为GaTe/ZnO异质结纳米线上长的前驱结构；所述ZnO纳米线尺寸在线长为10‑200μm，直径为300‑1000nm,且ZnO纳米线为在蓝宝石衬底上使用CVD的方法沉积；b)将准备好的带ZnO纳米线的蓝宝石衬底放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中制备层状GaTe二维纳米片堆叠层包裹ZnO纳米线。
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