[发明专利]双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法根据金属反光增强曝能量的原理，以半色调掩膜板为工具，在半色调掩膜板的半透光区的曝光区域内通过底栅极、源极、与漏极的反光使得不同部位的光阻厚度有差异，并利用光阻厚度的差异来实施相应的图案化处理，能够使得底栅极与源极和漏极完全不重叠，顶栅极与源极和漏极完全不重叠，从而能够减小因底栅极与源极和漏极有重叠或因顶栅极与源极和漏极有重叠所产生的寄生电容，提高TFT器件的稳定性，改善TFT器件的电性。

主权项

1.一种双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层并对所述第一金属层进行图案化处理，形成底栅极(2)；在所述底栅极(2)与衬底基板(1)上依次沉积第一绝缘隔离层(3)、与金属氧化物半导体层(4)，并在所述金属氧化物半导体层(4)上涂布负性光阻层(5)；提供第一块半色调掩膜板(HT1)，所述第一块半色调掩膜板(HT1)包括第一半透光区(HT11)、第一遮光区(HT12)与第二遮光区(HT13)，所述第一遮光区(HT12)与第二遮光区(HT13)分别连接于所述第一半透光区(HT11)的两侧；所述第一半透光区(HT11)对应位于所述底栅极(2)上方，且第一半透光区(HT11)的两侧分别超出底栅极(2)的两侧；使用所述第一块半色调掩膜板(HT1)曝光所述负性光阻层(5)并进行显影，在第一半透光区(HT11)的曝光区域内得到负性光阻块(5’),所述负性光阻块(5’)正对底栅极(2)的部分受到底栅极(2)反光照射，该部分的厚度大于负性光阻块(5’)的其它部分的厚度；以所述负性光阻块(5’)为遮蔽层对金属氧化物半导体层(4)进行图案化处理；去除所述负性光阻块(5’)的其它部分，保留负性光阻块(5’)正对底栅极(2)的部分，以保留的负性光阻块(5’)正对底栅极(2)的部分为遮蔽层对图案化的金属氧化物半导体层(4)进行处理，得到金属氧化物半导体有源层(4’)，其中，所述金属氧化物半导体有源层(4’)正对底栅极(2)的部分保持为半导体，其它部分转变为导体；对保留的负性光阻块(5’)进行制绒处理；在所述第一绝缘隔离层(3)、金属氧化物半导体有源层(4’)、及制绒处理的负性光阻块(5’)上沉积第二金属层(6)，先后通过光阻涂布、曝光、显影、与光阻剥离制程对第二金属层(6)进行图案化处理，且第二金属层(6)正对底栅极(2)的部分在光阻剥离制程中被一并去除，得到与底栅极(2)完全不重叠的源极(61)、与漏极(62)；在所述第一绝缘隔离层(3)、金属氧化物半导体有源层(4’)、源极(61)、与漏极(62)上沉积第二绝缘隔离层(7)，并对第二绝缘隔离层(7)与第一绝缘隔离层(3)进行图案化处理，得到暴露出漏极(62)部分表面的第一过孔(71)、及暴露出底栅极(2)部分表面的第二过孔(72)；在所述第二绝缘隔离层(7)上沉积透明导电层(8)，在所述透明导电层(8)上涂布正性光阻层(9)；提供第二块半色调掩膜板(HT2)，所述第二块半色调掩膜板(HT2)包括第二半透光区(HT21)、透光区(HT22)与第三遮光区(HT23)，所述透光区(HT22)与第三遮光区(HT23)分别连接于第二半透光区(HT21)的两侧；所述第二半透光区(HT21)对应位于所述底栅极(2)、源极(61)、与漏极(62)上方，所述第三遮光区(HT23)对应位于所述第一过孔(71)上方；使用所述第二块半色调掩膜板(HT2)曝光所述正性光阻层(9)并进行显影；在第二半透光区(HT21)的曝光区域内，所述正性光阻层(9)正对底栅极(2)的部分形成第一正性光阻块(91)，所述正性光阻层(9)受到源极(61)与漏极(62)反光照射的部分被去除；在所述第三遮光区(HT23)的曝光区域内的正性光阻层(9)得以保留，形成第二正性光阻块(92)；以所述第一正性光阻块(91)、与第二正性光阻块(92)为遮蔽层，对所述透明导电层(8)进行图案化处理，得到与源极(61)和漏极(62)完全不重叠的顶栅极(81)、以及图案化的像素电极(82)；所述像素电极(82)经由第一过孔(71)接触漏极(62)，所述顶栅极(81)经由第二过孔(72)接触底栅极(2)。