[发明专利]一种二极管的生产工艺在审
申请号: | 201710365757.4 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107316811A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 曹建民 | 申请(专利权)人: | 如皋市下原科技创业服务有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种二极管的生产工艺,其包括酸洗、电镀、焊接、碱洗、绝缘保护和后处理六个工序。本发明的优点在于本发明二极管的生产工艺,先酸洗、再焊接、然后碱洗、最后绝缘保护,在焊接之前对芯片进行酸腐蚀,避免了酸洗过程中,焊料和引线中的金属杂质会和酸液反应,影响芯片的腐蚀速率;避免金属与酸反应生成的金属离子会附着在芯片表面,省去大量清洗过程,节约资源;避免产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障,提高产品的电性良率;同时,也使得排出的清洗液中金属含量降低,降低对土壤造的污染,从而有利于环境的保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种二极管的生产工艺,其特征在于:其包括以下步骤:(1)酸洗:将二极管芯片放置在酸溶液内进行酸腐蚀,腐蚀时间为8~12min,酸温度控制在0~5℃之间;(2)电镀:酸洗后的二极管芯片经电镀,在二极管芯片表面形成金属保护层,镀层厚度为3~5µm;(3)焊接:将两金属引线电极、焊片和电镀后的二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度控制在290~300℃,焊接时间为12~15min,使二极管芯片与金属引线连接;(4)碱洗:将焊接后的二极管芯片与金属引线放置在碱溶液内进行碱腐蚀,腐蚀时间为8~12min,碱温度控制在5~15℃之间;(5)绝缘保护:碱洗后,用相应治具上绝缘保护胶,再经固化工艺,促使绝缘保护胶完全固化;(6)后处理:对固化好的产品进行表面处理,再测试成品包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造