[发明专利]扇出型封装中的半导体结构在审
| 申请号： | 201710366923.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630622A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;陈焕能 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种扇出型封装中的半导体结构，具有相邻于半导体管芯的一侧的模制化合物。磁性结构设置于所述模制化合物上方、所述半导体管芯上方及传输线周围，所述传输线耦合至所述半导体管芯的集成电路。所述磁性结构具有顶部磁性部分、底部磁性部分、第一侧磁性部分及第二侧磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分具有锥形侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 半导体结构 模制化合物 扇出型封装 磁性结构 传输线 传输线耦合 锥形侧壁 耦合 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型封装中的半导体结构，其特征在于，包括：模制化合物，相邻于半导体管芯的一侧；以及磁性结构，设置于所述模制化合物上方、所述半导体管芯上方及传输线周围，所述传输线耦合至所述半导体管芯的集成电路，所述磁性结构包括：顶部磁性部分；底部磁性部分；第一侧磁性部分，耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分；以及第二侧磁性部分，耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分，其中所述第一侧磁性部分相对于所述传输线与所述第二侧磁性部分相对；以及所述第一侧磁性部分或所述第二侧磁性部分中的至少一者具有锥形侧壁。
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