[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201710367503.6 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107437511B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·罗特;弗兰克·翁巴赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。公开了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成绝缘材料层；以及在形成绝缘材料层之后，对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性。此外，该方法包括在对绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性之后，在绝缘材料层的表面的至少一部分上形成导电结构。本申请还公开了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：在半导体衬底上方形成(110)绝缘材料层；在形成所述绝缘材料层之后，对所述绝缘材料层的表面的至少一部分进行改性(120)；以及在对所述绝缘材料层的所述表面的至少所述一部分进行改性之后，在所述绝缘材料层的所述表面的至少经改性的部分上形成(130)导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
