[发明专利]高电压晶体管装置在审
| 申请号： | 201710367658.X | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107452801A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·H·博多;宽特·葛斯荷夫;朱尔根·法尔;彼特·杰瓦卡 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电压晶体管装置，其提供一种半导体装置，包含绝缘体上覆硅(SOI)基材，该SOI基材包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包含：绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中，该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。
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