[发明专利]基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201710368026.5 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107221565A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 闫大为;羊群思 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法，包括步骤A、在同质GaN衬底上外延生长浓度为4.1x1016cm‑3的n型GaN掺杂层；B、在外延层上制备欧姆接触电极层；C、在外延片上覆盖二氧化硅钝化层，刻蚀出离子注入区域；D、通过离子注入机注入氟离子；E、在离子注入区域上方制备肖特基电极层。本发明还公开了制备得到的肖特基二极管。该制备方法过程中采用了离子注入氟一方面提高n‑GaN与肖特基金属之间的内建势垒高度，从而有效减低了器件的反向电流，实现高增益性能；另一方面通过照射波长为360‑365nm的紫外光，器件表现出类似紫外探测器的光生电流反应，光暗电流比可达107。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 注入 实现 增益 氮化 镓肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法，其特征在于：该方法包括：A、在同质GaN衬底上外延生长浓度为4.1x1016cm‑3的n型GaN掺杂层；B、在外延层上制备欧姆接触电极层；C、在外延片上覆盖二氧化硅钝化层，刻蚀出离子注入区域；D、通过离子注入机注入氟离子；E、在离子注入区域上方制备肖特基电极层。
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