[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710368083.3 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108962741A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张海苗 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种刻蚀方法，用于对GaN衬底进行刻蚀，其中，所述刻蚀方法包括：在GaN衬底上形成掩膜图形；开启上、下电极，利用刻蚀气体对形成有掩膜图形的GaN衬底进行刻蚀，通过设定上、下电极的功率以及工艺压强，降低对所述GaN衬底刻蚀表面的损伤度。该对GaN衬底进行刻蚀的刻蚀方法，通过对刻蚀气体、上电极功率、下电极功率和工艺压强进行综合改进，能获得光滑平整的GaN衬底表面，达到极低的表面损伤度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 衬底 压强 刻蚀气体 掩膜图形 下电极 半导体加工技术 表面损伤度 下电极功率 衬底表面 电极功率 光滑平整 刻蚀表面 损伤度 改进 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，用于对GaN衬底进行刻蚀，其特征在于，所述刻蚀方法包括：在GaN衬底上形成掩膜图形；开启上、下电极，利用刻蚀气体对形成有掩膜图形的GaN衬底进行刻蚀，通过设定上、下电极的功率以及工艺压强，降低对所述GaN衬底刻蚀表面的损伤度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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