[发明专利]集成电路以及形成集成电路的方法在审
| 申请号： | 201710369660.0 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107425001A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;张健宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种集成电路(IC)及其形成方法，其包括HKMG混合非易失性存储器(NVM)器件，其提供了小尺寸和高性能。在一些实施例中，集成电路包括存储区，存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的NVM器件。一对选择栅电极设置在一对控制栅电极的相对侧处并且包括多晶硅。逻辑区邻近存储区设置并且具有逻辑器件，逻辑器件具有金属栅电极，金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有由高k栅极介电层所覆盖的底部表面和侧壁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：存储区，所述存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的非易失性存储器(NVM)器件，其中，一对选择栅电极设置在所述一对控制栅电极的相对侧处并且包括多晶硅；以及逻辑区，所述逻辑区邻近所述存储区设置并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括金属栅电极，所述金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有由高k栅极介电层所覆盖的底部表面和侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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