[发明专利]一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法在审
| 申请号： | 201710370209.0 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170680A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;王俊龙;张立森;杨大宝;徐鹏;赵向阳;房玉龙;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，属于半导体器件技术领域。其是在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。本发明能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 gan 基肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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