[发明专利]光电转换装置和图像读取装置有效
申请号: | 201710370871.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107425029B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 铃木达也;小泉彻;小仓正徳;铃木隆典;伊庭润 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N1/028 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提出了光电转换装置和图像读取装置。一种光电转换装置,包括具有一个主表面的半导体基板(该主表面包括凹陷部分)以及在凹陷部分中的绝缘体。半导体基板包括光电转换元件,每个光电转换元件包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域和第二导电类型的第三半导体区域,其中第三半导体区域具有相对于第二半导体区域更靠近主表面而部署的至少一部分。第二半导体区域具有信号电荷的极性。第二半导体区域与第一和第三半导体区域接触。在垂直于主表面的横截面中,信号电荷路径部署在凹陷部分之间。第二和第三半导体区域中的至少一个在信号电荷路径中至少两条的方向上定位。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 图像 读取 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,其特征在于,包括:半导体基板,被配置为具有包括凹陷部分的一个主表面;及绝缘体,被配置为部署在凹陷部分中,其中半导体基板包括光电转换元件,每个光电转换元件包括第一导电类型的第一半导体区域、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域以及第二导电类型的第三半导体区域,第三半导体区域具有高于第二半导体区域的杂质浓度的杂质浓度并且具有相对于第二半导体区域更靠近主表面而部署的至少一部分,第二半导体区域具有与信号电荷的极性相同的极性,其中:第二半导体区域与第一和第三半导体区域接触,第一和第二半导体区域形成PN结部分,在垂直于主表面的横截面中,信号电荷路径部署在凹陷部分之间,在主表面的平面图中,信号电荷路径包括,第一信号电荷路径,该第一信号电荷路径在第一方向上的长度长于在不同于第一方向的第二方向上的长度,及第二信号电荷路径,该第二信号电荷路径在不同于第一方向的第三方向上的长度长于在不同于第三方向的第四方向上的长度;及第二和第三半导体区域中的至少一个包括在与第一方向平行并通过第一信号电荷路径的线上并且在与第二方向平行并通过第二信号电荷路径的线上的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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