[发明专利]共面键合结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710371231.7 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107226452B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 熊斌;梁亨茂;刘松;徐德辉 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种共面键合结构及其制备方法,所述制备方法包括步骤:a)提供一待键合的器件结构,所述器件结构包括至少两个定义的功能区,其中,各所述功能区均具有待引出面,且至少两个所述待引出面位于不同高度的平面;b)将各所述待引出面通过绝缘层和金属层交替形成的叠层结构引出至同一高度的平面上形成各键合引出面,以得到所述共面键合结构。本发明的共面键合结构可以解决真空或气密封装中键合平面不在同一高度的问题;实现真空或气密封装内部结构与器件外部的直接垂直互连;实现键合框架的绝缘和引线焊盘的电气导通;本发明的共面键合结构只需修改掩膜版相应位置的图形,并不增加额外的工序,极大地节约制造成本、提高生产效率。
搜索关键词: 共面键合 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种共面键合结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:1)提供一基板,于所述基板上定义出第一功能区、第二功能区和第三功能区,其中,所述第三功能区的形状为封闭的环形结构,所述第一功能区和所述第二功能区依次排布于所述环形结构内;2)于所述基板上沉积第一绝缘层,并在所述第一功能区对应的位置进行刻蚀,暴露出部分所述基板形成预设宽度的第一电极引出窗口,以获得所述第一功能区的待引出面;3)于步骤2)得到的结构表面沉积第一金属层,并在非所述第一电极引出窗口对应的位置进行刻蚀,暴露出部分所述第一绝缘层以实现将填充于所述第一电极引出窗口并延伸至该窗口周围的所述第一绝缘层上的部分所述第一金属层与其他部分隔开,同时使所述第二功能区和所述第三功能区对应的所述第一金属层相隔开;4)于步骤3)得到的结构表面沉积第二绝缘层,并在与所述第一电极引出窗口对应的位置进行刻蚀以暴露出该部分所述第一金属层,同时对所述第二功能区对应的所述第二绝缘层进行刻蚀,暴露出该部分所述第一金属层形成预设宽度的第二电极引出窗口,以获得所述第二功能区的待引出面;5)于步骤4)得到的结构表面沉积第二金属层,在对应所述第一金属层被刻蚀掉的位置对所述第二金属层进行刻蚀;6)于步骤5)得到的结构表面沉积第三绝缘层,并在所述第一电极引出窗口和所述第二电极引出窗口对应的位置进行刻蚀以暴露出该部分所述第二金属层;7)于步骤6)得到的结构表面沉积第三金属层,在对应所述第二金属层被刻蚀掉的位置对所述第三金属层进行刻蚀,以形成绝缘的所述第三功能区、所述第二功能区和所述第一功能区。
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