[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710371894.9 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107248543B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 贾伟;樊腾;仝广运;李天保;翟光美;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/22 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明是一种LED外延结构及其制备方法，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、非掺杂GaN层、SiNx层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN层，所述n型GaN层和InGaN/GaN多量子阱层之间进行H2气氛中高温分解的步骤。该方法利用了GaN高温分解的性质。在n型GaN层高温分解过程中，由于位错等缺陷处的热稳定性较差，会优先分解，H2气氛有助于加快分解，进而形成不规则的丘陵状结构，再进行后续生长步骤，最终制备出具有诸多优点的LED外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、非掺杂GaN层、SiNx层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN层；所述n型GaN层和InGaN/GaN多量子阱层之间进行H2气氛中高温分解的步骤并得到丘陵状的n型GaN层。
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