[发明专利]一种逆阻型氮化镓器件有效
| 申请号： | 201710371935.4 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107170810B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;刘杰;施宜军;李茂林;崔兴涛;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，本发明提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 器件 | ||
【主权项】：
一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；所述MGaN层(3)上表面一端具有漏极金属(5)，所述漏极金属(5)与MGaN层(3)形成肖特基势垒接触；其特征在于，在所述MGaN层(3)另一端具有绝缘栅极结构(6)，所述绝缘栅极结构(6)由绝缘栅介质(8)和金属栅电极(9)构成，其中金属栅电极(9)位于绝缘栅凹槽(7)中，所述绝缘栅凹槽(7)为贯穿MGaN层(3)并延伸入GaN层(2)上表面的凹槽，金属栅电极(9)与MGaN层(3)和GaN层(2)之间通过绝缘栅介质(8)隔离；与绝缘栅极结构(6)相邻的MGaN层(3)上表面具有源极金属(4)，所述源极金属(4)与金属栅电极(9)之间通过绝缘栅介质(8)隔离，且绝缘栅介质(8)完全覆盖源极金属(4)的表面并沿MGaN层(3)上表面延伸至与部分漏极金属(5)的下表面接触。
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