[发明专利]一种逆阻型氮化镓器件在审
| 申请号： | 201710371951.3 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107170808A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;施宜军;刘杰;李茂林;崔兴涛;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 器件 | ||
【主权项】：
一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；其特征在于，所述氮化镓器件具有肖特基源极结构、肖特基漏极结构和绝缘栅极结构；所述肖特基源极结构位于GaN层(2)上表面一端，肖特基源极结构由底部嵌入GaN层(2)上表面的源极肖特基接触电极(4)形成，源极肖特基接触电极(4)的侧面与MGaN层(3)接触；所述肖特基漏极结构位于GaN层(2)上表面另一端，肖特基漏极结构由底面与MGaN层(3)接触的漏极肖特基接触电极(5)形成；所述绝缘栅极结构位于与源极肖特基接触电极(4)相邻的MGaN层(3)上表面，绝缘栅极结构由绝缘栅介质(7)和位于绝缘栅介质(7)上金属栅电极(8)构成，且金属栅电极(8)的底部嵌入MGaN层(3)上层，金属栅电极(8)与源极肖特基接触电极(4)之间通过绝缘栅介质(7)隔离，所述绝缘栅介质(7)和金属栅电极(8)沿源极肖特基接触电极(4)的上表面向远离肖特基漏极结构的方向延伸，所述绝缘栅介质(7)还沿MGaN层(3)上表面延伸至与漏极肖特基接触电极(5)接触，金属栅电极(8)沿绝缘栅介质(7)的上表面向漏极肖特基接触电极(5)的方向延伸。
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