[发明专利]一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法有效
| 申请号： | 201710372213.0 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107132472B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 单书珊;赵扬;王继业;陈燕宁;邵瑾;张海峰;赵东艳 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/307 | 分类号： | G01R31/307;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 李晓康;龚镇雄 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 分析 微米 soi 工艺 芯片 腐蚀 溶液 方法 | ||
【主权项】：
一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液，其特征在于，包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；所述氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水之间的体积配比为1～5:2～5:5～30:5～30。
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