[发明专利]氮掺杂多孔垂直石墨烯纳米墙阵列及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710374724.6 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107235472B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王帅;池凯;肖菲;袁号;张哲野 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮掺杂多孔垂直石墨烯纳米墙阵列，利用氢氧化镍作为模板，多巴胺的自组装性质形成致密包覆层，随后高温碳化制备了一种氮掺杂垂直石墨烯纳米墙阵列材料，并在其基础上进行原位功能化修饰，得到了负载贵金属纳米颗粒、贵金属合金纳米颗粒、金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物、导电高分子等复合功能材料，探究了在超级电容器、锂离子电池、水分解、电化学催化、无酶生物传感器等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 多孔 垂直 石墨 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂多孔垂直石墨烯纳米墙阵列，其特征在于，所述石墨烯纳米墙阵列以碳布为基底，石墨烯纳米墙阵列与碳布保持垂直状态；氮元素原子个数占石墨烯纳米墙阵列原子个数总和为3‑5％，所述石墨烯纳米墙阵列原子个数总和不包括作为基底材料的碳布的原子个数；所述石墨烯纳米墙阵列具有三维导电网络结构，高度为3‑6微米，厚度为2.5‑3.5纳米，具有直径为1‑10纳米的孔洞；所述孔洞位于石墨烯纳米墙阵列的石墨烯纳米片上。
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