[发明专利]一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用有效
申请号: | 201710375865.X | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107248538B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 唐江;巫皓迪;牛广达;潘伟程;罗家俊;尹力骁 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用,其中该后处理方法包括以下步骤:对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理,然后冷却,接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理,从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率,降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进,与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题,并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。 | ||
搜索关键词: | 一种 双钙钛矿 晶体 处理 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种双钙钛矿晶体的后处理方法,其特征在于,包括以下步骤:对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理,然后冷却,接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理,从而提高该双钙钛矿晶体的空穴迁移率,降低其表面复合速率;其中,对于所述双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6,X为Cl或Br;所述退火处理的退火温度为100~200℃,退火时间为30~120 min;所述表面钝化处理所采用的所述溶剂为丙酮、乙醇、乙酸乙酯或异丙醇;所述表面钝化处理是将所述晶体浸没于所述溶剂中浸泡10~15 min,然后再将所述晶体取出并晾干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710375865.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种市政垃圾处理拖运设备
- 下一篇:用于基因纯化和成像的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的