[发明专利]一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法有效
申请号: | 201710376114.X | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107221599B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 卢年端;魏巍;李泠;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法,先获得每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能,然后得到氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系;在依据此对所述N个掺杂元素进行分类;然后基于分类后的N个掺杂元素和确定出的氧化物基阻变存储器性能参数,确定出所述分类后的N个掺杂元素对所述氧化物基阻变存储器的各个性能参数的映射关系。本发明可以通过不同掺杂物浓度及类型对于激活能的影响来判断掺杂元素对于器件各种性能的影响,最终获得优化阻变存储器性能的最佳方法,从而不需要进行大量的实验测试,过程简单,精确性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 优化 氧化物 存储器 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法,其特征在于,所述方法包括:在将每个掺杂元素以不同浓度掺杂到氧化物基阻变存储器中时,获得每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能;其中,所述掺杂元素共有N个,N为正整数且N≥2;基于每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能,获得所述氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系;基于所述氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系,将所述N个掺杂元素进行分类;确定出所述氧化物基阻变存储器性能参数;基于分类后的N个掺杂元素和所述氧化物基阻变存储器性能参数,确定出所述分类后的N个掺杂元素对所述氧化物基阻变存储器的各个性能参数的映射关系。
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