[发明专利]一种超薄单晶硅片的制备方法有效
| 申请号： | 201710376960.1 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107104037B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 车兴森;杨正华;张颖娟;刘慎业;侯立飞;杨轶濛;杜华冰 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 许洪洁 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄单晶硅片的制备方法，包括：1)、刻蚀绝缘体上硅(SOI片)中的目标硅层，刻蚀深度为顶层单晶硅的厚度减去(0.8μm～1.2μm)；2)、腐蚀硅衬底层；3)、将步骤2)所制备的样品放入BHF腐蚀液中，并保持样品在腐蚀液表面漂浮，待氧化掩埋层腐蚀干净后捞出目标硅片并清洗。该超薄晶体硅的制备方法采用解键合工艺，所制备的超薄晶体硅表面光洁、厚度均匀、粗糙度小。所述的制备方法工艺简单、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括：1)、刻蚀绝缘体上硅中的目标硅层，刻蚀深度为顶层单晶硅的厚度减去0.8μm～1.2μm；2)、腐蚀硅衬底层；3)、将步骤2)所制备的样品放入BHF腐蚀液中，并保持样品在腐蚀液表面漂浮，待氧化掩埋层腐蚀干净后捞出目标硅片并清洗；所述目标硅层的厚度为5μm～30μm；刻蚀绝缘体上硅中的目标硅层时，刻蚀线宽为8μm～12μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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