[发明专利]一种同时使用大电阻和大电容的电路及设计方法在审
申请号: | 201710377869.1 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107194078A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 王亚杰 | 申请(专利权)人: | 北京海尔集成电路设计有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100088 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种同时使用大电阻和大电容的电路及设计方法,其中同时使用大电阻和大电容的电路中,poly电阻阵列采用工艺最小poly宽度来实现高阻值,MIM电容阵列设置在poly电阻阵列之上来节省面积。其中所述poly电阻阵列由多个形状相同的poly电阻单元并行排列组成,使所有poly电阻单元两端的接触端口规则排列;其中所述MIM电容阵列由N个规则排列的MIM电容单元构成。其中所述poly电阻单元的长度大于所述MIM电容阵列的总长度,以使所述poly电阻单元两侧的接触端口伸出所述MIM电容阵列的两侧,便于电阻连线。 | ||
搜索关键词: | 一种 同时 使用 电阻 电容 电路 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种同时使用大电阻和大电容的电路,其特征在于,包括poly电阻阵列和MIM电阵列;所述poly电阻阵列由多个形状相同的poly电阻单元并行排列组成,使poly电阻单元两端的接触端口规则排列于poly电阻阵列的两侧,且每一poly电阻单元的宽度为工艺最小宽度;所述MIM电容阵列包括N个规则排列的MIM电容单元,且电容阵列设置在poly电阻阵列之上;其中所述poly电阻单元的长度大于所述MIM电容阵列的总长度,以使所述poly电阻两侧的接触端口伸出所述MIM电容阵列的两侧。
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