[发明专利]一种柔性且透明的导电聚合物聚吡咯图案化方法及其应用在审
| 申请号： | 201710378480.9 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108962744A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 汤庆鑫;刘益春;赵晓丽;赵鹏飞 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 130024 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性且透明的导电聚合物聚吡咯图案化方法及其应用。本发明提供的基于衬底的图案化聚吡咯的制备方法包括如下步骤：提供表面连接有羟基的衬底；在衬底的表面通过光刻形成图案化的光刻胶，其中衬底表面上未覆盖所述图案化的光刻胶的空白部分构成所设计的导电聚合物聚吡咯的图案；通过空白部分连接的羟基在空白部分修饰N‑(3‑三甲氧基硅丙基)吡咯；通过空白部分修饰的N‑(3‑三甲氧基硅丙基)吡咯采用化学氧化法在所述空白部分合成聚吡咯；去除光刻胶即可。本发明在衬底上形成图案化聚吡咯的方法中，衬底以及图案化聚吡咯均具有良好的柔性及透过性；可在室温下操作，图案化过程中溶液处理不会对电极导电性造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 聚吡咯 图案化 衬底 导电聚合物 光刻胶 三甲氧基 硅丙基 透明的 修饰 吡咯 羟基 光刻形成图案 导电性 化学氧化法 图案化过程 表面连接 衬底表面 溶液处理 对电极 透过性 去除 制备 应用 合成 图案 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于衬底的图案化聚吡咯的制备方法，包括如下步骤：(1)提供表面连接有羟基的衬底；(2)在步骤(1)中所述衬底的表面通过光刻形成图案化的光刻胶，其中，所述衬底表面上未覆盖所述图案化的光刻胶的空白部分构成所设计的导电聚合物聚吡咯的图案；(3)通过步骤(2)中所述空白部分连接的羟基在所述空白部分修饰N‑(3‑三甲氧基硅丙基)吡咯；(4)通过步骤(3)中所述空白部分修饰的N‑(3‑三甲氧基硅丙基)吡咯采用化学氧化法在所述空白部分合成聚吡咯；(5)去除光刻胶即可得到所述基于衬底的图案化聚吡咯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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