[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710379725.X | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933082B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶体管及其制作方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成石墨烯纳米带层；在所述石墨烯纳米带层上形成第一氧化层；在所述第一氧化层中形成多个第一沟槽；在每个所述第一沟槽中均形成碳纳米管；在每个所述碳纳米管的两端形成金属接触层；以及在每个所述碳纳米管上形成第二氧化层。由此，能够获得具有石墨烯纳米带层和碳纳米管的晶体管，该晶体管相比传统晶体管能够在很低的电压下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成石墨烯纳米带层；在所述石墨烯纳米带层上形成第一氧化层；在所述第一氧化层中形成多个第一沟槽；在每个所述第一沟槽中均形成碳纳米管；在每个所述碳纳米管的两端形成金属接触层；以及在每个所述碳纳米管上形成第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
