[发明专利]一种N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710379751.2 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108946734A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 潘秀莲;林雅萍;包信和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C01B32/162;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括使用的SiC来源于太阳能电池硅片切割废料中的SiC基混合物，SiC基混合物还原后，经过热处理，然后在一定温度下引入氮源，以制得N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料。本发明充分利用了太阳能电池硅片切割工艺中产生的工业废料中的SiC，对其进行修饰后得到N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料，结合SiC和氮掺杂碳纳米管各自的优势，有效改善了SiC比表面积低问题，并且可以宏量制备，制备方法简单，成本非常低。 | ||
| 搜索关键词： | 多壁碳纳米管 修饰 制备 太阳能电池硅片 混合物 切割 氮掺杂碳纳米管 热处理 工业废料 氮源 还原 引入 | ||
【主权项】：
1.一种N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料制备方法，其特征在于：将SiC基混合物先还原，再经过进一步热处理并降至室温，然后升温至N掺杂多壁碳纳米管的生长温度，通过惰性气体鼓泡引入氮源以制得N掺杂多壁碳纳米管修饰的SiC复合材料。
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