[发明专利]用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器

摘要

本发明公开了一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器，所述方法包括有下列步骤：将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据，并动态地监控所述接收数据的数据量以决定是否立即将所述接收数据写入至少一非挥发性存储器组件；以及当决定立即将所述接收数据写入所述至少一非挥发性存储器组件时，将所述接收数据直接写入一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块，而非通过先将所述接收数据暂时地写入被组态成单阶细胞记忆区块的任何其它区块来间接地写入所述特定区块。本发明可省下单阶细胞记忆区块所占用的储存空间，以提供更多的多阶细胞记忆区块。

主权项

一种用来管理一记忆装置的方法，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述方法是应用于所述记忆装置中的一控制器，所述控制器是用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，其特征在于，包括有下列步骤：将接收自一主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的一挥发性存储器作为接收数据，并动态地监控所述接收数据的数据量以决定是否立即将所述接收数据写入所述至少一非挥发性存储器组件，其中接收自所述主装置的至少一写入指令指出所述主装置要求写入所述数据，以及动态地监控所述接收数据的数据量的步骤还包括有：当所述接收数据的数据量达到一预定数据量临界值时，决定立即将所述接收数据写入所述至少一非挥发性存储器组件；以及当决定立即将所述接收数据写入所述至少一非挥发性存储器组件时，将所述接收数据直接写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的一特定区块，而非通过先将所述接收数据暂时地写入被组态成单阶细胞记忆区块的任何其它区块来间接地将所述接收数据写入所述特定区块，其中在所述特定区块中的一记忆细胞被用来储存多个位的状况下，所述多个位需被重复地写入所述记忆细胞达一预定次数以使所述记忆细胞在所述特定非挥发性存储器组件当中被正确地程序化，以致所述多个位中的每一位均正确地储存于所述记忆细胞以供进一步读取，以及所述预定次数大于一；其中所述挥发性存储器的储存容量大于或等于所述预定数据量临界值和所述预定次数的乘积，以容许所述接收数据的至少一部分被用于所述记忆细胞的重复写入运作。