[发明专利]集成电流传感器器件和对应的电子器件在审

专利信息
申请号: 201710380907.9 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN108254609A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: D·帕希;P·安吉利尼;M·德尔萨尔托 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R15/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及集成电流传感器器件和对应的电子器件。集成电流传感器器件耦合到第一导电线,集成电流传感器器件具有:封装体;采用导电材料的支撑结构,支撑结构布置在封装体内;裸片,由封装体内的支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线对准布置的第一和第二磁场传感器元件以及电子电路,电子电路操作性地耦合到第一和第二磁场传感器元件以实现差分检测。支撑结构限定针对封装体内的电流的路径,路径具有:第一路径部分,在第一磁场传感器元件处延伸;第二路径部分,在第二磁场传感器元件处延伸;以及第三路径部分,连接第一和第二路径部分;其中,第一和第二路径部分相对于横向轴线布置在传感器轴线的对向侧,横向轴线横向于传感器轴线。
搜索关键词: 磁场传感器元件 集成电流传感器 支撑结构 传感器轴线 封装 电子电路 电子器件 横向轴线 体内 差分检测 导电材料 器件耦合 导电线 封装体 耦合到 延伸 对向 裸片 对准
【主权项】:
1.一种集成电流传感器器件(10),所述集成电流传感器器件(10)被配置成用于耦合到第一导电线(30)以检测流入所述第一导电线(30)的电流(Is),所述集成电流传感器器件包括:封装体(12);采用导电材料的支撑结构(15,20a,20b,22),所述支撑结构布置在所述封装体(12)内;以及裸片(13),所述裸片由所述封装体(12)内的所述支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线(A)对准布置的第一磁场传感器元件(18a)和第二磁场传感器元件(18b)以及电子电路(19),所述电子电路操作性地耦合到所述第一磁场传感器元件(18a)和所述第二磁场传感器元件(18b)以实现差分检测,其特征在于,所述支撑结构(15,20a,20b,22)被配置成用于限定针对所述封装体(12)内的所述电流(Is)的路径(P),所述路径(P)具有:第一路径部分(P1),所述第一路径部分在所述第一磁场传感器元件(18a)处延伸;第二路径部分(P2),所述第二路径部分在所述第二磁场传感器元件(18b)处延伸;以及第三路径部分(P3),所述第三路径部分连接所述第一路径部分(P1)和所述第二路径部分(P2);其中,所述第一路径部分(P1)和所述第二路径部分(P2)相对于横向轴线(y)布置在所述传感器轴线(A)的对向侧,所述横向轴线横向于所述传感器轴线(A)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710380907.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top