[发明专利]半导体存储元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储元件的制造方法，其步骤如下。提供具有第一区、第二区以及第三区的衬底。在第一区上形成第一堆叠结构。在第二区上形成第二堆叠结构。在第三区上形成第三堆叠结构。在衬底上形成第一掩膜层，以覆盖第三堆叠结构。进行第一离子注入工艺，使得第二堆叠结构的第二浮置栅极与第二控制栅极的导电型态转变为第一导电型。在衬底上形成第二掩膜层，以覆盖第一堆叠结构与第二堆叠结构。进行第二离子注入工艺，使得第三堆叠结构的第三浮置栅极与第三控制栅极的导电型态转变为第二导电型。

主权项

1.一种半导体存储元件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区、第二区以及第三区；在所述第一区上形成第一堆叠结构，其中所述第一堆叠结构依序包括第一栅介电层、第一浮置栅极、第一栅间介电层以及第一控制栅极；在所述第二区上形成第二堆叠结构，其中所述第二堆叠结构依序包括第二栅介电层、第二浮置栅极、第二栅间介电层以及第二控制栅极；在所述第三区上形成第三堆叠结构，其中所述第三堆叠结构依序包括第三栅介电层、第三浮置栅极、第三栅间介电层以及第三控制栅极；在所述衬底上形成第一掩膜层，以覆盖所述第三堆叠结构；进行第一离子注入工艺，使得所述第二浮置栅极以及所述第二控制栅极的导电型态转变为第一导电型；移除所述第一掩膜层并于所述衬底上形成第二掩膜层，以覆盖所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构；以及进行第二离子注入工艺，使得所述第三浮置栅极以及所述第三控制栅极的导电型态转变为第二导电型。