[发明专利]覆晶式发光二极管及其制造方法

摘要

本发明关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法。覆晶式发光二极管包括具有正极和负极的发光二极管芯片、第一金属片、第二金属片、封装材料、导电部及绝缘层。发光二极管芯片、第一金属片及第二金属片被封装于封装材料内，且发光二极管芯片的正极与负极、第一金属片及第二金属片彼此绝缘且各具有从封装材料的表面暴露出来的表面。导电部设置来在正极与负极之间保持绝缘的状态下，使第一和第二金属片分别与正极和负极电性连接。绝缘层设置在封装材料的表面上，以覆盖导电部及暴露于封装材料的表面的正极、负极、第一及第二金属片。

主权项

1.一种覆晶式发光二极管，包括：发光二极管芯片，具有正极和负极；第一金属片；第二金属片；封装材料，配置来将该发光二极管芯片、该第一金属片及该第二金属片封装于其内，其中，该发光二极管芯片的该正极与该负极、该第一金属片及该第二金属片是彼此绝缘且分别具有从该封装材料的一表面暴露出来的表面；导电部，配置来在该发光二极管芯片的该正极与该负极之间保持绝缘的状态下，使该第一金属片与该发光二极管芯片的该正极电性连接、并使该第二金属片与该发光二极管芯片的该负极电性连接；以及绝缘层，设置在该封装材料的该表面上，以覆盖该导电部以及暴露于该封装材料的该表面的该发光二极管芯片的该正极与该负极、该第一金属片及该第二金属片的多个该表面。