[发明专利]具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710384453.2 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107146836A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王洪;徐明升;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 许菲菲 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法；该结构包括自下而上依次连接的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和渐变In组分p型InGaN导电层；多量子阱有源区由5‐15对InGaN量子阱和GaN量子垒交替叠加组成；所述渐变In组分p型InGaN导电层的厚度为200‐400nm；渐变In组分p型InGaN导电层的In原子百分比沿着生长方向由15％渐变降低到0。本发明采用渐变In组分InGaN导电层代替传统的pGaN导电层，可以减小p型层生长过程对量子阱的损伤，提高空穴注入效率，降低LED的工作电压，提高绿光LED的光电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 渐变 in 组分 ingan 导电 gan 基绿光 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构，其特征在于，包括自下而上依次连接的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和渐变In组分p型InGaN导电层；所述多量子阱有源区由5‐15对InGaN量子阱和GaN量子垒交替叠加组成；所述渐变In组分p型InGaN导电层的厚度为200‐400nm；所述渐变In组分p型InGaN导电层的In原子百分比沿着生长方向由15％渐变降低到0。
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