[发明专利]闪存存储器存储单元

摘要

本发明公开一种闪存存储器存储单元，包含一基底、一存储器栅极，设于基底上、一电荷存储层，介于存储器栅极与基底间、一选择栅极，邻近存储器栅极、一选择栅极介电层，设于选择栅极与基底间、一第一氧化物‑氮化物间隙壁，介于存储器栅极与选择栅极间，及一第二氧化物‑氮化物间隙壁。选择栅极包含一上端部位及一下端部位。第二氧化物‑氮化物间隙壁仅介于第一氧化物‑氮化物间隙壁与选择栅极的上端部位间。

主权项

1.一种闪存存储器存储单元，包含：基底；存储器栅极，设于该基底上；电荷存储层，介于该存储器栅极与该基底间；选择栅极，邻近该存储器栅极，其中该选择栅极包含一上端部位及一下端部位；选择栅极介电层，设于该选择栅极与该基底间；第一氧化物‑氮化物间隙壁，介于该存储器栅极与该选择栅极间；及第二氧化物‑氮化物间隙壁，介于该第一氧化物‑氮化物间隙壁与该选择栅极的该上端部位间。