[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710385149.X | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108962983A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法，包括：一集电极区、一基区、一形成于所述基区中的阱区、以及一形成于所述基区中的反型掺杂区，其中，所述反型掺杂区与所述阱区之间保持间距。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管中，通过于基区中设置所述反型掺杂区，使其与基区的接触面间形成一PN结结构，从而在器件的关断过程中，可使耗尽区的扩展速度加快。并且，基区中的空穴还可于所述反型掺杂区中被收集，提升了空穴的抽离速度，大大降低了IGBT器件的关断时间，有效改善了IGBT器件的关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 反型掺杂 绝缘栅双极型晶体管 空穴 阱区 关断过程 关断损耗 集电极区 耗尽区 抽离 关断 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：一半导体衬底；一第一掺杂类型的集电极区；一第二掺杂类型的基区，所述基区形成于所述半导体衬底中并位于所述集电极区的上方；一所述第一掺杂类型的阱区，所述阱区形成于所述基区中并延伸至所述半导体衬底的上表面；其特征在于，还包括一所述第一掺杂类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区形成于所述基区中且与所述阱区之间保持间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710385149.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
