[发明专利]一种兼顾光热协同管理的半导体器件有效
| 申请号： | 201710386198.5 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107170869B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋伟杰;鲁越晖;张贤鹏;陈志成;艾玲;张景;李啸;谭瑞琴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼顾光热协同管理的半导体器件，所述的半导体器件的出光面或入光面设有微纳结构层；所述的微纳结构层由一种或多种微纳结构排列堆积而成，所述的微纳结构贴近半导体器件出光面或入光面的一端最大宽度为1～3um，且最大宽度沿高度方向逐渐减小。该器件能够增加可见光(380～780nm)、太阳光谱主能量波段(小于2um)光的透射能力，且提升器件本身在8～13um红外波段的热辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼顾 光热 协同 管理 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种兼顾光热协同管理的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件的出光面或入光面设有微纳结构层；所述的微纳结构层由一种或多种微纳结构排列堆积而成，所述的微纳结构贴靠半导体器件出光面或入光面的一端最大宽度为1～3um，且最大宽度沿高度方向逐渐减小；其中，光管理所涉及的电磁波谱范围为0.3～1.2um的紫外、可见、近红外区，热管理所涉及的电磁波谱范围为2.5～25um的中红外和远红外区；所述的微纳结构的材质为SiO2。
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