[发明专利]一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在X轴方向能够连续渐变，在Y轴方向和Z轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连续变化的半导体合金薄膜，制膜速度快，工艺方便，易于实现，稳定可靠，应用范围广泛。

主权项

1.一种成分连续渐变的半导体合金薄膜，其特征在于，所述半导体合金薄膜的成分为三元硫硒化合物；记位于所述半导体合金薄膜表面上、且沿半导体合金薄膜表面的硒元素含量保持不变的方向为Y轴方向，记该半导体合金薄膜的厚度方向为Z轴方向，并且记位于该半导体合金薄膜表面上、且与所述Y轴、所述Z轴分别垂直的方向为X轴方向；所述半导体合金薄膜中硒元素的原子个数占合金薄膜中硒和硫的原子总数之比在X轴方向上连续渐变，在Y轴和Z轴方向上保持不变。