[发明专利]一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法，石墨烯的生长和转移后，利用掩膜板，在石墨烯/PET基底上沉积ZnSe微米带阵列，然后，通过掩模板使用电子束蒸发的方式在ZnSe/石墨烯异质结上沉积Cr/Au作为源级和漏极，最后，在氧等离子体中刻蚀掉暴露出的石墨烯薄膜后，即成功地制备出基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器。本方法构筑的ZnSe/石墨烯异质结光探测器阵列具有100%的器件产率；ZnSe/石墨烯异质结光探测器阵列可以被用作柔性图像传感器，而且器件性能的均一性较好；工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值。

主权项

一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1) 利用化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯，然后，将质量分数为4.5‑5.5％的溶于苯甲醚的PMMA 溶液旋涂在石墨烯/铜箔基底上，接着将旋涂有PMMA的样品置于加热台上165‑175 ℃烘烤4‑6分钟，随后，在通有空气的等离子体机中刻蚀掉铜箔背面的石墨烯，再放置于 FeCl3溶液中刻蚀掉铜箔，在稀盐酸和去离子水清洗后，用PET基底捞起支撑石墨烯的PMMA膜，风干后放入丙酮中浸泡4‑6分钟去除PMMA；(2) 在石墨烯薄膜转移到柔性的PET基底上后，利用掩膜板，在石墨烯/PET基底上沉积ZnSe微米带阵列，然后，通过掩模板使用电子束蒸发的方式在ZnSe/石墨烯异质结上沉积Cr/Au作为源级和漏极，最后，在氧等离子体中刻蚀掉暴露出的石墨烯薄膜后，即成功地制备出基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器。