[发明专利]一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途

摘要

本发明公开了一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法及其用途，其在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510℃氧化2‑2.5h，使其变成图形化的ZnO薄膜，将其作为制备竖直ZnO纳米棒阵列的种子层；在所得的图形化的ZnO薄膜种子层上使用光刻技术固定电极图形，在种子层上沉积Cr和Au作为源漏极，将所得带有电极的图形化ZnO种子层的基底，正面朝下，悬浮在六水合硝酸锌和六次甲基四胺的混合制备的生长液中，加热，保温适当时间后，所得样品用去离子水冲洗，即为光探测器。

主权项

1.一种基于ZnO竖直纳米棒阵列的光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1）在含有氧化硅层的硅片基底上用电子束蒸发沉积图形化ZnS薄膜，然后，将图形化ZnS薄膜在空气中500‑510℃氧化2 ‑2.5h，使其变成图形化的ZnO薄膜，将其作为制备竖直ZnO纳米棒阵列的种子层；(2) 在步骤（1）所得的图形化的ZnO薄膜种子层上使用光刻技术固定电极图形，在种子层上沉积Cr和Au作为源漏极，将所得带有电极的图形化ZnO种子层的基底，正面朝下，悬浮在六水合硝酸锌和六次甲基四胺的混合制备的生长液中，加热到90‑95℃，保温3.5‑4.5h后，所得样品用去离子水冲洗，即得带有Au/Cr电极的竖直ZnO纳米棒阵列，即为光探测器；所述的使用光刻技术固定电极图形具体操作是：在含有氧化硅层的硅片基底上，用匀胶机旋涂光刻胶，然后在加热台上80度烤5min,接着在紫外深度光刻机上装上掩膜版，这个掩膜版上有图形，将硅片基底在光刻机里曝光后，放到显影液里显影，再用去离子水冲洗，吹干，就在硅片基底上得到图形，接下来再拿去镀膜。