[发明专利]阵列基板、异形显示器及显示装置有效
申请号: | 201710388859.8 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107221536B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 席克瑞;周一安;许文钦 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、异形显示器及显示装置,涉及显示技术领域,该阵列基板显示区设置有多条长度不相同的栅线,非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构;电容补偿结构包括位于衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极,第一电极与第二电极构成第一电容,第二电极与第三电极构成第二电容,电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关。本发明所提供的技术方案通过在阵列基板的非显示区设置电容补偿结构,且该电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关,对显示区中不同长度的栅线的耦合电容的差异进行了补偿,提高了显示画面的品质。 | ||
搜索关键词: | 阵列 异形 显示器 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述显示区设置有多条长度不相同的栅线,所述非显示区设置有与部分所述栅线一一对应的电容补偿结构;/n所述电容补偿结构包括位于所述衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极与所述第二电极构成第一电容,所述第二电极与所述第三电极构成第二电容,所述电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的所述栅线的长度负相关;其中,所述电容补偿结构的耦合电容值越大,其对应的所述栅线的长度越短;/n所述第一电极与所述第三电极的电位相同,且所述第一电极不与所述第三电极电连接,所述第二电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接;或者,/n所述第一电极与所述第三电极电连接,所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的