[发明专利]发光二极管

摘要

具有堆叠状结构的发光二极管，其中，所述堆叠状结构包括载体层和镜层和n掺杂的下部包覆层和产生电辐射的有源层和p掺杂的上部包覆层和n掺杂的电流分配层，并且前面所述的层以所提及的顺序布置。所述有源层包括量子阱结构。隧道二极管在所述上部包覆层与所述电流分配层之间布置，其中，所述电流分配层主要由n掺杂的含Ga层构成，其中，Ga含量>1％。

主权项

1.一种具有堆叠状结构的发光二极管(10)，该发光二极管具有：载体层(14)，n掺杂的下部包覆层(16)，产生电辐射的有源层(18)，其中，所述有源层(18)包括量子阱结构，p掺杂的上部包覆层(20)，n掺杂的电流分配层(24)，其中，载体层(14)、下部包覆层(16)、有源层(18)、上部包覆层(20)和分配层(24)以所提及的顺序布置，在所述上部包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有隧道二极管(22)，其中，所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga层，该n掺杂的含Ga层具有>1％的Ga含量，在所述载体层(14)与所述n掺杂的下部包覆层(16)之间布置有镜层(15)，在所述n掺杂的下部包覆层(16)之下构造有n掺杂的接触层，并且所述隧道二极管(22)包括具有大于3×10¹⁸N/cm³的掺杂物浓度的n掺杂层(18.2)和具有大于1×10¹⁹N/cm³的掺杂物浓度的p掺杂层(18.1)，其特征在于，所述电流分配层(24)具有凹槽(30)并且所述凹槽(30)具有上侧边缘面(33)和侧面(32)和底面(31)，其中，所述电流分配层(24)在所述底面(31)处完全去除并且所述底面(31)以与邻近的半导体材料不同的填充材料(40)覆盖，并且所述填充材料(40)与所述底面之间的接触电阻比所述填充材料(40)与所述电流分配层(24)之间的接触电阻大，并且所述隧道二极管(22)包括含As层和/或含P层，其中，所述含As层以碳掺杂，其中，所述含P层以碲掺杂。