[发明专利]铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 201710389086.5 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107814817A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 朴圭熙;林载顺;曹仑廷;金铭云;李相益;李圣德;赵晟佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;DNF株式会社 |
| 主分类号： | C07F5/06 | 分类号： | C07F5/06;C23C16/34;C23C16/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 通过 使用 形成 薄膜 方法 制造 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
由化学式(I)表示的铝化合物：化学式(I)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8各自独立地为氢原子、卤素原子、C1‑C7取代或未取代的烷基、C2‑C7取代或未取代的烯基、C2‑C7取代或未取代的炔基、或C4‑C20取代或未取代的芳族、杂芳族或脂环族烃基。
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