[发明专利]一种延时电路有效
| 申请号： | 201710389960.5 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107241087B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 艾亮东;艾平平;马晓武 | 申请（专利权）人： | 上海吉锝芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/284 | 分类号： | H03K17/284;H03K17/687 |
| 代理公司： | 无锡松禾知识产权代理事务所(普通合伙) 32316 | 代理人： | 花修洋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种延时电路，包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第二电容充放开关电路包括第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第三电流源电路、第四电流源电路以及第二电容。本发明的延时电路消除了传统延时电路中由于电流源非理想特性而产生的误差，从而提高了延迟电路的延迟精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延时 电路 | ||
【主权项】：
一种延时电路，其特征在于：包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管以及第三NMOS管四者的栅极短接并连接输入信号端；所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极短接并同时和所述第一缓冲器的输入端A以及第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；所述第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、以及第三NMOS管的源极三者均通过第一电流源电路接电源电压，所述第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极、以及第三NMOS管的漏极三者均通过第二电流源电路接地；所述第二电容充放开关电路包括第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第三电流源电路、第四电流源电路以及第二电容；所述第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管以及第四NMOS管四者的栅极短接于所述第一缓冲器的输出端B；所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的源极短接并同时和所述第二缓冲器的输入端C以及第二电容的一端连接，第二电容的另一端接地；所述第二PMOS管的源极、第四PMOS管的源极以及第四NMOS管的源极三者均通过第三电流源电路接电源电压，所述第二NMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极以及第四NMOS管的漏极三者均通过第四电流源电路接地；所述第二缓冲器的输出端作为整个延时电路的输出端。
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