[发明专利]一种高散热器件封装结构和板级制造方法有效
| 申请号： | 201710390118.3 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107123601B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 于中尧;郭学平;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种封装结构，包括：基板，所述基板上具有芯片槽；芯片，所述芯片置于所述芯片槽中，所述芯片的正面上设置有芯片电极；第一散热结构，所述第一散热结构设置在所述芯片的背面和所述基板的第一面上；第二散热结构，所述第二散热结构设置在所述基板的与所述第一面相对的第二面上；以及第三散热结构，所述第三散热结构设置在所述芯片槽的侧壁上，并且与所述第一散热结构和所述第二散热结构热连通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 器件 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封装结构，包括：基板，所述基板上具有芯片槽；芯片，所述芯片置于所述芯片槽中，所述芯片的正面上设置有芯片电极；第一散热结构，所述第一散热结构设置在所述芯片的背面和所述基板的第一面上；第二散热结构，所述第二散热结构设置在所述基板的与所述第一面相对的第二面上；以及第三散热结构，所述第三散热结构设置在所述芯片槽的侧壁上，并且与所述第一散热结构和所述第二散热结构热连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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