[发明专利]一种基于空心碳球模板生长多孔钴酸镍纳米片的方法有效
申请号: | 201710390201.0 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107256972A | 公开(公告)日: | 2017-10-17 |
发明(设计)人: | 何亮;袁慧;杨威 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01M4/88 | 分类号: | H01M4/88;H01M4/90;B82Y30/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 张惠玲 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种基于空心碳球模板生长多孔钴酸镍纳米片的方法,包括以下步骤:空心碳球的合成;钴酸镍纳米片前驱体在空心碳球上的生长:以空心碳球为支撑物,四水乙酸钴为钴源,四水乙酸镍为镍源,通过调节pH值,然后经水热反应制得钴镍纳米片/空心碳球前驱体;将钴镍纳米片/空心碳球前驱体在空气气氛下高温热解,制得生长在空心碳球上的多孔钴酸镍纳米片/空心碳球复合物;或者在空气/惰性气体下高温热解,得到生长在空心碳球上的富含氧空位的多孔钴酸镍纳米片/空心碳球复合物。本发明所制作的多孔钴酸镍纳米片/空心碳球复合物具有机械性能良好、制备成本低、导电性高、ORR性能优异等优点,适合推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 空心 模板 生长 多孔 钴酸镍 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种基于空心碳球模板生长多孔钴酸镍纳米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)空心碳球的合成;2)钴酸镍纳米片前驱体在空心碳球上的生长:以空心碳球为支撑物,四水乙酸钴为钴源,四水乙酸镍为镍源,通过调节pH值,然后经水热反应制得钴镍纳米片/空心碳球前驱体;3)将钴镍纳米片/空心碳球前驱体在空气气氛下高温热解,制得生长在空心碳球上的多孔钴酸镍纳米片/空心碳球复合物;或者在空气/惰性气体下高温热解,得到生长在空心碳球上的富含氧空位的多孔钴酸镍纳米片/空心碳球复合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710390201.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。